Transistores MOSFET - SivF160N100T
Todos los productos están 100% probados por UIS y cumplen con RoHS.
Fabricado con tecnología de transistores de potencia de estructura de zanja.
Descripción
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Descripción del producto
SivF160N120T es un MOSFET de potencia de canal N con modo de enriquecimiento.
Características principales
- Tensión nominal: 100 V
- Corriente nominal: 160 A
- Resistencia máxima de encendido RDS (encendido): 3,8 mOhm
- Corriente de drenaje: hasta 30 A a VGS=10 V
- Resistencia de encendido y carga de puerta extremadamente bajas (típ. Qg=93 nC)
- Todos los productos están 100% probados por UIS y cumplen con RoHS
- Fabricado con tecnología de transistores de potencia de estructura de trinchera.
Aplicaciones
Conmutación de carga
Modulación PWM (PWM)
Gestión de energía
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