Memoria integrada UFS
BIWIN UFS es la próxima generación de chips de memoria flash para sistemas integrados. En comparación con el último estándar eMMC 5.1, la velocidad UFS es tres veces más rápida. Además, los canales de control adicionales de UFS 2.1 garantizan de manera efectiva una transferencia de datos segura y eliminan la necesidad de latencia durante las operaciones de lectura y escritura, lo cual es un factor clave para lograr velocidades más altas de UFS 2.1.
memoria integrada uMCP
BIWIN presenta el chip de memoria integrado uMCP5, que combina UFS 3.1 y LPDDR5X, para teléfonos inteligentes y otros terminales inteligentes. La velocidad de lectura secuencial UFS 3.1 alcanza los 2100 MB/s, la velocidad de escritura secuencial – 1800 MB/s; La frecuencia LPDDR5X alcanza los 6400 Mbps; capacidad de memoria: hasta 256 GB + 8 GB; El tamaño del chip es de sólo 11,5 × 13,0 × 1,0 mm.
Memoria ePOP incorporada
BIWIN ePOP combina memoria móvil MMC y LPDDR con varias opciones de capacidad en un solo paquete. Estos productos se utilizan ampliamente en dispositivos móviles.
Memoria eMMC integrada
BIWIN eMMC, gracias a su diseño conciso y avanzado, entró en el mercado en poco tiempo. Utiliza un controlador de alto rendimiento y una memoria flash NAND confiable, que no solo mejora la eficiencia de la transferencia de datos, sino que también realiza de manera más consistente más operaciones multitarea a altas velocidades, lo que garantiza una experiencia fluida al navegar por la web, descargar aplicaciones, reproducir videos de alta definición y ejecutar juegos exigentes.
Memoria integrada eMCP
A medida que aumenta la cantidad de código del sistema operativo utilizado en los teléfonos inteligentes, y especialmente debido a la adopción generalizada del sistema operativo Android, los teléfonos inteligentes tienen requisitos de memoria cada vez mayores.
memoria LPDDR5
LPDDR5 admite el modo multibanco, la velocidad de transferencia de datos aumenta de 4266 Mbps a 6400 Mbps. El ajuste dinámico de varios grupos de voltaje reduce el consumo de energía en un 30%.
memoria LPDDR4
LPDDR (SDRAM de velocidad de datos doble de bajo consumo) es un tipo de memoria DDR que presenta un bajo consumo de energía. Las soluciones BIWIN Low Power DDR cubren una amplia gama de RAM, desde modelos de alto rendimiento hasta modelos con una óptima relación precio-rendimiento.
BIWIN
BIWIN Storage Technology Co., Ltd. (en adelante, BIWIN) se fundó en 2010. La empresa se especializa en la investigación y el desarrollo, empaquetado y prueba, producción y venta de dispositivos de memoria semiconductores. Los principales productos son dispositivos de memoria semiconductores, los principales servicios son servicios avanzados de embalaje y pruebas. Los dispositivos de memoria semiconductores se clasifican según su aplicación en memoria integrada, memoria de PC, memoria industrial y automotriz, memoria empresarial y memoria móvil. Con su misión de "La memoria hace que todo sea inteligente", la empresa se esfuerza por convertirse en el proveedor líder mundial de soluciones de memoria y almacenamiento, así como de servicios avanzados de embalaje y pruebas. BIWIN es una empresa que cotiza en el mercado STAR, incluida en el índice STAR 50, y ha recibido inversiones estratégicas de la segunda ronda del Fondo Estatal de Desarrollo de Circuitos Integrados de China, el Fondo de Inversión en Internet de China, el Fondo de Riesgo de la Academia de Ciencias de China, etc. Centrándose estrechamente en toda la cadena industrial de dispositivos de memoria semiconductores, la empresa ha establecido un modelo de negocio de fabricación y soluciones integradas, y ha ampliado su presencia en eslabones clave de la cadena, como el desarrollo de soluciones de almacenamiento, el diseño de controladores de memoria, el empaquetado y prueba de memoria, el empaquetado avanzado y pruebas a nivel de oblea y fabricación de equipos de prueba de memoria. Los productos de chips de memoria de la compañía se utilizan ampliamente en terminales móviles inteligentes, PC, terminales industriales, centros de datos, vehículos inteligentes, almacenamiento de datos móviles y otros campos de tecnología de la información.
