
BIWIN presenta el chip de memoria integrado uMCP5, que combina UFS 3.1 y LPDDR5X, para teléfonos inteligentes y otros terminales inteligentes. La velocidad de lectura secuencial UFS 3.1 alcanza los 2100 MB/s, la velocidad de escritura secuencial – 1800 MB/s; La frecuencia LPDDR5X alcanza los 6400 Mbps; capacidad de memoria: hasta 256 GB + 8 GB; El tamaño del chip es de sólo 11,5 × 13,0 × 1,0 mm.
BIWIN presenta el chip de memoria integrado uMCP5, que combina UFS 3.1 y LPDDR5X, para teléfonos inteligentes y otros terminales inteligentes. La velocidad de lectura secuencial UFS 3.1 alcanza los 2100 MB/s, la velocidad de escritura secuencial – 1800 MB/s; La frecuencia LPDDR5X alcanza los 6400 Mbps; capacidad de memoria: hasta 256 GB + 8 GB; El tamaño del chip es de sólo 11,5 × 13,0 × 1,0 mm. En comparación con una solución que utiliza UFS 3.1 y LPDDR5 separados, el uMCP basado en LPDDR5 de BIWIN puede ahorrar hasta un 55 % del área de PCB, lo que permite un diseño más flexible de sistemas basados en teléfonos inteligentes.
1.Interfaz: UFS 3.1, LPDDR5
2.Dimensiones: 11,5 × 13,0 × 1,2 mm (máx.)
3.Velocidad máxima de lectura secuencial: 2100 MB/s
4.Velocidad máxima de escritura secuencial: 1800 MB/s
5.Volumen: hasta 8 GB + 256 GB
6.Rango de temperatura de funcionamiento: –25 °C a +85 °C
7. Vivienda: 297 pasadores de bola
8.Áreas de aplicación: teléfonos inteligentes, equipos de red, tabletas