
La memoria de programa, la memoria de datos, los registros y los puertos de E/S están organizados en un único espacio de direcciones lineal de 4 GB. Los datos se almacenan en la memoria en el orden de bytes menos significativo. El byte direccionable menos significativo de una palabra se considera el byte menos significativo y el byte direccionable más significativo se considera el byte más significativo. El dispositivo contiene una SRAM estática incorporada con una capacidad de 64 KB.
Los chips de la serie HK32F103xCxDxE son microcontroladores de alto rendimiento desarrollados por Shenzhen Hanshun Chip Research and Development Co.,Ltd. Incluye los siguientes modelos:
1. HK32F103xC
HK32F103RCT6
HK32F103VCT6
2. HK32F103xD
HK32F103RDT6
HK32F103VDT6
3.HK32F103xE
HK32F103RET6
HK32F103VET6
El sistema principal consta de las siguientes partes:
1. Módulos principales:
Núcleo Cortex®-M3 con bus de código (D-bus) y bus de sistema (S-bus).
Controladores universales DMA1 y DMA2.
2. Módulos esclavos:
Memoria flash interna.
SRAM interna.
Periféricos AHB Lite.
Puentes AHB-APB (APB1 y APB2) para conectar todos los periféricos APB.
FSMC.
Todos estos módulos están interconectados mediante una arquitectura de bus multinivel AHB.
La memoria de programa, la memoria de datos, los registros y los puertos de E/S están organizados en un único espacio de direcciones lineal de 4 GB. Los datos se almacenan en la memoria en el orden de bytes menos significativo. El byte direccionable menos significativo de una palabra se considera el byte menos significativo y el byte direccionable más significativo se considera el byte más significativo. El dispositivo contiene una SRAM estática incorporada con una capacidad de 64 KB. Se puede acceder byte a byte, por medias palabras (16 bits) o por palabras completas (32 bits). El voltaje de funcionamiento del dispositivo (VDD) es de 2,0 a 3,6 V. El voltaje interno requerido de 1,2 V para la alimentación digital lo proporciona el regulador de voltaje incorporado. Si falla la fuente de alimentación principal del VDD, el reloj de tiempo real (RTC) y los registros de respaldo se alimentan desde la fuente VBAT de respaldo. El LDO incorporado proporciona energía para la lógica digital interna del dispositivo.
El voltaje de salida del LDO en el chip se puede ajustar mediante registros, lo que permite que el software optimice el consumo de corriente del chip según el escenario de la aplicación. El voltaje de salida del LDO se puede configurar de forma independiente para el modo Run y el modo Stop.